Samsung rozpoczął masową produkcję przeznaczonych do urządzeń mobilnych, 12-gigabitowych (Gb) układów pamięci typu low-power double data rate 4 (LPDDR4), opartych na technologii wykonania w procesie 20 nanometrów (nm).

Firma Samsung Electronics potwierdziła rozpoczęcie masowej produkcji układów pamięci 6 gigabitów (Gb) typu low-power double data rate 3 (LPDDR3) Mobile DRAM, opartych na technologii 20 nanometrów (nm). Mają one zapewniać dłuższą pracę baterii i szybsze wczytywanie aplikacji na urządzeniach mobilnych o dużych ekranach i większej rozdzielczości.